Tag: 化学机械抛光

本期应用专题重点介绍化学机械抛光（CMP）工艺流程中可能出现的问题。化学机械抛光，又称化学机械平坦化，是半导体制造的关键制程工艺之一。晶圆的每一个层级都需经过多次CMP抛光处理，其目的在于去除表面的材料残余，或为添加下一层电路结构创设一个平整的基底。抛光垫和抛光液（抛光液是一种具有磨蚀性和腐蚀性的化学混合物，通常含有胶体二氧化硅），是实现晶圆平坦化（即通过抛光使晶圆表面实现平整）不可或缺的工具。